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NTLUS3A90PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
2000
1600
1200
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
3
V DS
Q T
V GS
12
10
8
800
2
Q GS
Q GD
6
4
400
0
0
C rss
2
C oss
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
0
0
2
4
6
8
10
V DS = ? 10 V
I D = ? 3.0 A
T J = 25 ° C
12
2
0
14
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
100
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 15 V
I D = ? 3.0 A
t d(off)
100
T J = 125 ° C
t f
10
10
t r
t d(on)
T J = 25 ° C
1
1
10
100
1
0.2
0.4
0.6
T J = ? 55 ° C
0.8
1.0
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.85
0.75
0.65
0.55
0.45
0.35
0.25
I D = ? 250 m A
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0.15
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
1.E ? 05
1.E ? 03
1.E ? 01
1.E+01
1.E+03
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
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